新型稀铋近红外宽光谱发光二极管的基础研究

项目名称： 新型稀铋近红外宽光谱发光二极管的基础研究

项目编号： No.61404152

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 王凯

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 31万元

中文摘要： 宽光谱光源是光学相干层析成像技术中的关键部件，成像技术中的轴向分辨率与半峰宽成反比,目前商用宽光谱光源的最佳分辨率为3.6微米。申请人所在的研究组于去年在世界上首次采用分子束外延方法合成高性能InPBi单晶材料，该材料在室温下展现很强的近红外光，半峰宽达到690纳米，超过GaAs基上外延生长InAs量子点的513纳米的世界纪录，应用于光学相干层析成像技术时理论轴向分辨率可达1.5微米。本项目将以制作电泵In(GaAl)PBi发光二极管为目标，采用气态分子束外延设备在InP上外延In(GaAl)PBi纳米结构材料，通过优化材料参数和有源区结构，获得室温中心波长约1.4微米、半峰宽为850纳米的光致发光，理论上的轴向分辨率达到1微米；通过研究光电损耗机理和材料热稳定性，设计In(GaAl)PBi发光二极管结构，演示半峰宽达400纳米的室温电泵In(GaAl)PBi发光二极管，保持我们的领先地位

中文关键词： 铟磷铋；发光二极管；分子束外延；；

英文摘要： Light source with a broadband spectrum plays a key role in optical coherent tomography (OCT). The spatial resolution of an OCT system is inversely proportional to the full width at half maximum (FWHM) of the spectrum. The best theoretical resolution of a

英文关键词： InPBi；LED；molecular beam epitaxy；；