单层二硫化钼带的量子输运

项目名称： 单层二硫化钼带的量子输运

项目编号： No.11374246

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 王健

作者单位： 香港大学深圳研究院

项目金额： 70万元

中文摘要： 石墨烯展现了丰富的物理，但石墨烯没有本征带隙。体材料过渡金属硫化物MoS2是间接带隙半导体，单层MoS2却是直接带隙，这点优于石墨烯。实验证明单层MoS2发光效率比体材料高1万倍，可用来做发光二极管、光探测器和太阳能电池，而且，由于很薄，可做得透明、轻便和可塑，是有机半导体的可行替代品。单层MoS2高效晶体管可在室温下制备，具有大电流、高互导、高迁移率，室温下电流开/断比高达10的8次方。由于反演对称性的破坏和强自旋轨道耦合，也展现了强Valley-Spin耦合。且单层MoS2中K点处光的带间跃迁规则最近也被实验证实。由于单层MoS2的科学价值和应用方面的重要性，其量子输运特性更值得深入研究。本项目将在非平衡格林函数框架下，研究单层MoS2层带的Valley Hall效应和自旋Hall效应，及有杂质下的统计特性，研究其交流输运特性，包括：动力学电导、电化学电容、电荷弛豫电阻及交流散粒噪声。

中文关键词： 非平衡格林函数；谷霍尔效应；单层二硫化钼带；量子直流输运；量子交流输运

英文摘要： Since the discovery of graphene, it has received widespread attention because it exhibits rich physics such as anomalous quantum Hall effect due to its massless Dirac charged carriers and its high mobility that is a must for the next generation of nano-el

英文关键词： nonequalibrium Green's function；valley Hall effect；monolayer MoS2 ribbon；quantum dc transport；quantum ac transport