利用纳米孔（柱）阵列同时提高LED内、外量子效率的研究

项目名称： 利用纳米孔（柱）阵列同时提高LED内、外量子效率的研究

项目编号： No.91433112

项目类型： 重大研究计划

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 冀子武

作者单位： 山东大学

项目金额： 100万元

中文摘要： LED因其诸多优点已经被广泛应用于照明、交通、背光源、全彩显示屏等许多领域。因此，探讨表面界面结构、微纳结构对LED发光效率的影响规律，具有重要的理论价值和现实意义。本项目拟采用干法刻蚀工艺，从InGaN/GaN多量子阱基蓝绿光LED表面自上而下刻蚀、形成具有周期性排列的纳米孔（或柱）阵列结构；研究、分析不同刻蚀工艺（如FIB、ICP）、结构参数（如孔或柱的深度、直径、密度及形状）和后续处理工艺（如退火、钝化）对LED发光效率的影响规律。特别关注将纳米孔（柱）的深度分别扩展至p-GaN层、有源区及n-GaN层时，对LED发光效率的影响规律和作用机制。根据上述实验结果，选取合适的制备工艺和结构参数，来达到既能降低LED的应力和缺陷以提高内量子效率、同时又能有效降低LED表面对出射光的内反射（即增强光的提取效率）以提高外量子效率的目的，从而探索出制备高效稳定LED器件的新工艺、新结构和新原理。

中文关键词： InGaN/GaN；纳米柱；光致发光；内量子效率；提取效率

英文摘要： LED structures have been widely used in many areas of lighting, traffic, backlight, full-color display and so on because of their many advantages. Therefore, exploring the effect of the surface- and interface-structure as well as the micro- and nano-struc

英文关键词： InGaN/GaN；nanopillar；photoluminescence；internal quantum efficiency；extraction efficiency