大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究

项目名称： 大直径直拉硅单晶缺陷工程的基础研究

项目编号： No.50832006

项目类型： 重点项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 轻工业、手工业

项目作者： 杨德仁

作者单位： 浙江大学

项目金额： 200万元

中文摘要： 300mm直拉硅单晶是甚大规模集成电路的基础材料，其缺陷的结构、形态和作用和小直径单晶有明显区别，对集成电路的性能和成品率有极其重要的作用。本项目研究甚大规模集成电路用300mm直拉硅单晶的缺陷的基础科学问题，着重研究具有我国自主知识产权的掺氮、掺锗300mm直拉硅单晶的缺陷，具有明显的创新性和重大的实际意义。项目将制备300mm直径普通、掺氮、微量掺锗直拉硅单晶，研究大直径硅单晶中原生晶体缺陷（如空洞型缺陷、氧沉淀等）的分布规律和结构特性，研究它们在硅片制备和热处理过程中的演变、对内吸杂性能、电学性质和力学性能的影响；研究晶体生长过程中自间隙硅原子、空位点缺陷的形成、扩散和互相作用，研究其空位、氧、锗等缺陷和杂质的性质以及它们的互相作用；特别研究利用微量锗杂质控制相关缺陷、提高和优化硅单晶性能问题，为甚大规模集成电路的制备提供优质硅单晶材料。

中文关键词： 大尺寸；直拉单晶硅；杂质；缺陷；

英文摘要：

英文关键词： large-diameter；Czochralski silicon；impurity；defect；