宽带宽锰氧化物薄膜中应变导致的相分离和正磁电阻研究

项目名称： 宽带宽锰氧化物薄膜中应变导致的相分离和正磁电阻研究

项目编号： No.11174261

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 朱弘

作者单位： 中国科学技术大学

项目金额： 64万元

中文摘要： 本项目以钡或锶掺杂的(La,Ba/Sr)MnO3薄膜为对象，主要研究薄膜与基片间晶格失配造成的薄膜应变对这种宽带宽锰氧化物中电子相分离和渗流输运行为的影响，以及低温金属区正磁电阻效应的起因。通过选择不同晶格常数的基片外延生长薄膜，调整薄膜应变在拉伸和压缩模式间变化，研究样品物性与应变的关系，特别注意观察其中的相分离现象。利用原子力显微镜的导电探针对氧化物薄膜进行微、纳加工，即刻蚀宽度从微米至纳米级的条带结构，对比研究它们的输运性质，获得相分离尺度和渗流输运过程等详细信息。锰氧化物的正磁电阻在双交换作用模型下十分反常，本项目将依据相分离和渗流输运图象，系统研究(La,Ba/Sr)MnO3薄膜在低温金属区表现的正磁电阻效应。研究结果将有助于全面认识锰氧化物中的复杂现象，特别是晶格自由度在其中所起的作用，并且新的磁电阻现象和机理的探索，将为新型自旋电子器件的设计开发提供更多的依据和选择。

中文关键词： 薄膜；应变；相分离；正磁电阻；宽带宽锰氧化物

英文摘要：

英文关键词： thin films；film strain；phase separation；positive magnetoresistance；large bandwidth manganites