大尺寸单晶生长过程中的若干基础问题

项目名称： 大尺寸单晶生长过程中的若干基础问题

项目编号： No.51323002

项目类型： 专项基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 孙洵

作者单位： 山东大学

项目金额： 300万元

中文摘要： 分别采用升华法、提拉法、水溶液法生长大尺寸SiC, Nd:YAG, KDP单晶材料。针对大尺寸单晶生长中的关键科学问题，设计和构建适合于大尺寸单晶生长的温度场；研究大面积籽晶条件下，单晶成核的控制机理；研究大尺寸单晶生长动力学，深入探索和理解大尺寸单晶生长过程中影响界面稳定性的关键因素；分析和研究大尺寸单晶生长过程中生长缺陷的产生、增殖和湮没机理；研究大尺寸单晶中残余应力的分布规律，分析残余应力的来源。通过对大尺寸单晶生长过程中关键科学问题的认识，优化生长工艺参数，最终获得大尺寸高质量SiC, Nd:YAG, KDP单晶材料。

中文关键词： 晶体生长；温度场；缺陷控制；生长机理；残余应力

英文摘要： In this project, SiC, Nd:YAG and KDP single crystals with large sizes will be grown by sublimation, Czochralski, and solution method, respectively. We will focus on some basic issues in the growth procedures of large size crystal. The thermal field suita

英文关键词： crystal growth；thermal field；defect control；growth mechanism；residual stress