CH3-Si(111)基半导体外延结构的电沉积制备及光电性能研究

项目名称： CH3-Si(111)基半导体外延结构的电沉积制备及光电性能研究

项目编号： No.20973153

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 刘润

作者单位： 浙江大学

项目金额： 32万元

中文摘要： 基于硅基外延结构的低维半导体光电功能材料和器件在现代信息和新能源产业中具有重要的应用价值和前景。传统的汽相外延生长方法需要高真空，高温及复杂昂贵的设备，因此，探索在溶液条件下，利用电沉积方法在单晶硅上电沉积制备高质量半导体外延结构对促进低维半导体光电功能材料和器件的研究和应用具有重要的意义。然而，由于硅基表面在水溶液或空气中易被氧化而失去本征有序结构，使得利用电化学法在单晶硅上制备外延结构具有很大的挑战性和难度。 本课题通过将单晶Si(111)表面进行甲基化修饰获得在溶液电化学条件下稳定存在的有序结构，探索在其上电沉积制备半导体外延结构的内在规律及生长模式，系统研究不同有机添加剂、溶液pH及过电位对外延结构的取向或形貌的影响，从电化学反应动力学和晶体表面能的变化出发，揭示调控半导体外延结构的内在机理，研究半导体外延结构的光电性能与其结构的关系，为制备高性能的硅基半导体外延结构提供新途径。

中文关键词： Si；外延取向生长；晶体结构；表面能；光电性能

英文摘要：

英文关键词： Si；epitaxial growth；crystal structures；surface energy；photoelectrochemical activity