半Heusler合金型拓扑绝缘体材料的制备和物性研究

项目名称： 半Heusler合金型拓扑绝缘体材料的制备和物性研究

项目编号： No.51171207

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 王文洪

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 60万元

中文摘要： 新型金属基拓扑绝缘体材料是低耗散电子器件的关键材料。本项目以最近发现的金属基半Heusler合拓扑绝缘体合金为研究对象，寻找基于Heusler型铁磁形状记忆合金单晶为衬底，在其上面制备高质量半Heusler合拓扑绝缘体薄膜的最佳工艺技术。系统研究在外界温度、磁场和应力多场耦合作用下，单晶衬底的应变输出特性对薄膜微结构、表面/体电子态和输运性能的影响。最终建立基于应变调控拓扑绝缘体材料表面/体电子态的物理模型，为设计新型拓扑绝缘体功能材料提供理论基础。

中文关键词： 拓扑绝缘体；half-Heusler合金；自旋轨道耦合；量子输运；核磁共振技术

英文摘要：

英文关键词： topological insulators；Half-Heusler alloys；spin-orbital coupling；quantum transport；NMR