超深亚微米SOI器件的重离子单粒子效应新机理研究

项目名称： 超深亚微米SOI器件的重离子单粒子效应新机理研究

项目编号： No.11175138

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学II

项目作者： 贺朝会

作者单位： 西安交通大学

项目金额： 72万元

中文摘要： 超深亚微米MOSFET的源漏间距在100nm左右，栅绝缘层更薄，辐射产生的电离通道和缺陷跨接两个区域或穿透绝缘层的几率很大，导致器件失效的可能性很高。这些电离通道和缺陷到底如何影响器件的性能，是一个尚未解决的问题。本课题拟研究重离子产生的电离通道和缺陷及缺陷簇与离子能量、线性能量转移值等参数的关系；重点研究辐射产生的晶格移位缺陷及缺陷簇的空间分布表征方法，以及缺陷大小与陷阱能级和密度之间的关系，结合重离子的电离模型，考虑超深亚微米半导体器件的陷阱效应、短沟效应、热载流子效应、栅氧击穿和寄生效应等，建立超深亚微米半导体器件的单粒子效应模型，明确重离子微观辐射损伤与半导体器件宏观参数之间的关系。以超深亚微米SOI器件为对象，应用计算机模拟和重离子辐照实验，探索超深亚微米SOI 器件的重离子单粒子效应新现象，揭示其机理，分析单粒子效应与重离子LET和器件特征尺寸等参数的关系，探讨加固措施。

中文关键词： 半导体器件；单粒子效应；单粒子位移损伤；分子动力学（MD）；动力学蒙特卡罗方法（KMC）

英文摘要：

英文关键词： Semiconductor devices；Single event effects；Single Particle Displacement Damage；Molecular Dynamics；Kinetic Monte Carlo