CuInS2 纳米管/线阵列的可控制备及其新型三维异质结太阳能电池的构筑与性能研究

项目名称： CuInS2 纳米管/线阵列的可控制备及其新型三维异质结太阳能电池的构筑与性能研究

项目编号： No.51402186

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 周桃

作者单位： 上海电力学院

项目金额： 25万元

中文摘要： 铜铟硫（CuInS2）薄膜太阳能电池，因其材料具有高的光吸收系数、直接带隙、好的结构缺陷容忍度、本征缺陷自掺杂、允许成分偏离化学计量比范围宽、强的抗辐射能力和长期的稳定性等特点, 被认为是最具发展前景的薄膜太阳能电池之一。本项目中，基于熟悉纳米孔道限域的原电池沉积技术，提出并实现一种由尺寸可调节（内、外径和高度）CuInS2纳米管/线阵列与无镉缓冲层构筑的新型三维异质结太阳能电池，实现高陷光，增强电子-空穴对的有效分离和收集效率。 研究光照下载流子的激发动力学过程及其在体系内部和界面处输运性质与体系微观结构的关系，获取该结构中载流子产生、输运与复合等丰富物理信息。从理论和实验上研究该纳米太阳能电池的光吸收率和电池性能参数随CuInS2纳米管/线的几何尺寸、缺陷、结晶性、成分及其在缓冲层中的嵌入深度等的变化规律，为绿色、低成本、高效CuInS2纳米太阳能电池的设计和生产提供科学依据。

中文关键词： 原电池沉积技术；CuInS2纳米管/线阵列；异质结太阳能电池；高陷光；

英文摘要： CuInS2 based thin-film solar cells are known as one of the most promising solar cells for large-scale applications, because of their high light absorption coefficient, direct band gap (1.5eV) well-matched to solar spectrum, good structural defect toleranc

英文关键词： Galvanic displacement technique；CuInS2 nanotube/nanowire arrays；heterojunction solar cells；High light trapping；