缺陷调控提升□xCu2SnSe4(0≤x≤1)基热电性能的研究

项目名称： 缺陷调控提升□xCu2SnSe4(0≤x≤1)基热电性能的研究

项目编号： No.51401147

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 李文

作者单位： 同济大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 新材料的开发和能带调控技术在提升材料热电性能研究方面已取得显著成效。新材料研究的主要出发点是利用特殊晶体结构基元降低晶格热导率；而能带调控的主要出发点是提升电学性能。有机结合这类策略是提升材料热电性能的有效途径。本研究提出晶体结构缺陷可调的热电新材料设计思路：利用缺陷引入声子散射中心，降低材料的晶格热导率；同时利用缺陷浓度在大范围可调的特点，实现能带结构调控提升电学性能，在同一材料中实现电性能与热性能的协同优化。本项目研究□xCu2SnSe4（□:晶格空位,0≤x≤1）基化合物热电性能，研究缺陷对电子和声子输运的影响，阐明缺陷结构对热电性能的作用机制；研究不同缺陷组分对能带结构及电学性能的影响，阐明提升该类材料热电性能的关键能带参数及其优化发展方向和能带调控技术；实现电性能和热性能的协同优化提升该类材料的热电性能，为具有本征缺陷结构的新型热电材料的开发提供理论和实验依据。

中文关键词： 热电材料；缺位结构；晶格热导率；Cu2SnSe4化合物；能带调控

英文摘要： Developing new materials and band engineering have obtained remarkable achievements for enhancement of thermoelectric performance, which utilizing special crystal structure to reduce the lattice thermal conductivity and increasing electrical properties of

英文关键词： Thermoelectric Materials；Vacancy Structure；Lattice Thermal Conductivity；Cu2SnSe4 Compound；Band Engineering