阻变存储器工作机理的原位透射电镜研究

项目名称： 阻变存储器工作机理的原位透射电镜研究

项目编号： No.51172273

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 无机非金属材料学科

项目作者： 许智

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 59万元

中文摘要： 阻变存储器（RRAM）是下一代非挥发性存储器的一个重要的研究方向。这类存储器具有操作电压低、功耗低，写入速度快、耐擦写、非破坏性读取、保存时间长、结构简单、与传统ＣＭＯＳ工艺兼容等优点。但目前对阻变存储器的电阻转变机理的认识还存在很大的分歧，直接制约了它的研发与应用。电阻的转变往往涉及材料相变、离子输运、氧化还原反应等微观过程，而透射电子显微镜是对这些问题的一种最直接的实验手段。本项目拟选择几种典型的阻变存储材料，使用透射电镜原位测量技术，在透射电镜中构筑阻变存储器原型器件，并在透射电镜中原位、实时、在原子分辨尺度观察器件开断的动态工作过程，深入研究此类存储器件的电阻转变的微观机制；探索此类存储器失效过程、失效机制。本项目将有望在阻变存储器电阻转变机制的研究上取得若干重要的原创性成果，这将为此类器件的研发提供理论指导。

中文关键词： 阻变存储器；透射电子显微镜；原位 TEM 测量；离子输运；

英文摘要：

英文关键词： Resistance switching memory；transmission electron microscope；in situ TEM；ion transportation；