基于氧化物薄膜晶体管的不挥发性DRAM技术研究

项目名称： 基于氧化物薄膜晶体管的不挥发性DRAM技术研究

项目编号： No.61376112

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 吕杭炳

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 80万元

中文摘要： 储存型内存技术（Storage Class Memory-SCM）被认为是解决处理器与硬盘性能上日益扩大的鸿沟的有效途径。不挥发性DRAM技术的实现有益于进一步推进SCM技术。本项目拟用具有极低漏电的氧化物薄膜晶体管来实现1T1C结构DRAM的不挥发性。重点对低漏电氧化物薄膜晶体管的制备、栅/漏应力对薄膜晶体管漏电性能影响、外界环境对薄膜晶体管漏电性能影响、薄膜晶体管与高k介质电容的集成技术等方面展开系统研究。本项目在氧化物材料晶格结构、组分、位错、掺杂等微观结构与晶体管漏电性能的关联方面的研究；源漏电极界面、栅极界面工程调制、外界应力对器件漏电特性的影响规律方面的研究及相关物理模型的建立；用导电原子力显微镜（C-AFM）和高分辨透射电镜（HR-TEM）等手段分析材料微观结构与器件性能对应关系的研究，都具有重要的源头创新意义，预计会取得一系列具有我国自主知识产权的原创性研究成果。

中文关键词： 氧化物薄膜晶体管；a-IGZO；存储器；不挥发；漏电流

英文摘要： Storage class memory is thought as an effective method to overcome the widening gap between the performance of CPU and storage memory. The realization of non-volatile DRAM technology is helpful to boost the development of SCM. This project will adopt oxid

英文关键词： O-TFT；a-IGZO；存储器；nonvolatile；leakage current