硅上生长化合物半导体所用过渡层单晶研究

项目名称： 硅上生长化合物半导体所用过渡层单晶研究

项目编号： No.60976013

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 周卫

作者单位： 清华大学

项目金额： 36万元

中文摘要： 本课题拟将硅片上具有压缩应变的SiGe层和Ge层制备成纳米级多孔结构，通过适当条件的氢气退火，使应力得到释放，位错等缺陷被限制在多孔层中，在多孔层的上表面微孔闭合，形成完全弛豫的SiGe和Ge准单晶层，再经过外延得到完全弛豫的SiGe和Ge单晶过渡层。 本课题的意义在于化合物半导体材料有比硅材料高得多的电子迁移率，广泛地应用于超高速电路和光电器件。只有制作出了低缺陷密度、低位错密度晶格完整性好的单晶过渡层，才有可能实现在硅上外延出质量好的适于器件制作的化合物半导体单晶薄膜。此项研究如果成功，说明利用纳米级多孔结构和适当的退火可以消除晶格失配所产生的应力，并可以作为虚拟衬底进行异质材料的外延，便可以将这一原理研究用于其他材料构成的过渡层单晶。

中文关键词： 异质外延；多孔结构；弛豫SiGe层；激光退火；孔隙率

英文摘要：

英文关键词： heteroepitaxial；porous structure；relaxed SiGe layer；laser annealing；porosity