基于中子辐照的宽禁带半导体材料的物性研究

项目名称： 基于中子辐照的宽禁带半导体材料的物性研究

项目编号： No.51372056

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 宋波

作者单位： 哈尔滨工业大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 宽禁带半导体具有禁带宽度大、临界电场高、电子饱和迁移率高等优异特性，特别是其耐恶劣环境特性是Si和GaAs等传统半导体所无法比拟的，因此广泛应用于航空航天、雷达通信、武器装备等领域。针对中子辐照对其微观结构和物理性质的影响缺乏研究的现状，本项目以宽禁带半导体为研究对象，系统地开展中子辐照对半导体材料物性作用规律的研究。项目拟采用XRD, Raman, EELS, HRTEM, PAS等结构表征技术，结合PPMS, SQUID, PL, CL等物性测量方法，系统地研究中子辐照对半导体材料微观结构、光学、电磁输运性质的作用规律。采用第一性原理对辐照后的物性进行理论计算，分析不同材料中子辐照后物性的变化机理，探索可能的新现象和新规律，揭示材料种类-辐照缺陷-物性变化的内在关联，对于发掘辐照宽禁带半导体的物理内涵，拓展其应用领域具有重要的意义。

中文关键词： 宽禁带半导体；缺陷；中子辐照；物理性质；

英文摘要： Due to the outstanding features such as wide bandgap, high critical electric field, high saturated electron mobility, especially the better resistance characteristics than conventional Si and GaAs in severe environment, wide band gap semiconductor has ext

英文关键词： wide band-gap semiconductor；defects；neutron irradiation；physical properties；