锰氧化物基多层结构异质结中自旋依赖的半导体特性研究

项目名称： 锰氧化物基多层结构异质结中自旋依赖的半导体特性研究

项目编号： No.10904169

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 王晶

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 23万元

中文摘要： 锰氧化物不仅具有半导体特性，而且拥有高自旋极化率，由其构成的异质结融合了半导体学和自旋电子学两方面的问题，具有丰富的物理内涵和极大的研究潜力。本项目以界面自旋极化对锰氧化物异质结半导体特性的影响为切入点，使用具有高自旋极化度的锰氧化物构造异质结，在半导体输运行为中引入自旋、电荷、轨道自由度以及上述自由度的人工调控。通过引入适当的缓冲层以及后处理调节界面状态如缺陷、应力、氧缺位和载流子浓度等控制界面自旋极化，研究其对电子结构、扩散势垒和整流行为的影响，阐明自旋依赖隧穿过程的物理机制。研究外场驱动的自旋等有序度的改变对异质结界面势垒、耗散层等特性的影响，找到光、磁场调节锰氧化物异质结性能的方法。本项工作不仅可以澄清锰氧化物异质结中自旋相关电子输运行为背后的物理机制，更好地理解锰氧化物异质结特性的本源，而且对研究和设计集自旋电子学和半导体特性于一身的新型多层结构功能器件也具有重要实际意义。

中文关键词： 锰氧化物；异质结；自旋相关输运行为；；

英文摘要：

英文关键词： manganites；heterojunction；spin-related transport behavio；；