氧化亚铜单晶的生长、半导体性能调控和太阳能光伏器件研究

项目名称： 氧化亚铜单晶的生长、半导体性能调控和太阳能光伏器件研究

项目编号： No.61376002

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 陈达贵

作者单位： 福建江夏学院

项目金额： 80万元

中文摘要： 氧化亚铜( Cu2O) 是本征p型无机化合物半导体，具有直接带隙结构，禁带宽度约2.1 eV。该材料光吸收系数大、激子束缚能高、激子寿命长、化学组成绿色环保且价格低廉，在新型太阳能电池、磁存储器件、化学催化、锂电池电极材料等方面具有潜在用途。氧化亚铜太阳能电池理论的最高转换效率为20%，但目前制备出来的各类基于Cu2O薄膜材料的太阳能电池的效率却不超过4%。如果能够生长出具有高空穴迁移率的氧化亚铜单晶，则有望以此材料为基础制作出高效的太阳能电池。本申请拟开展近厘米级的高空穴迁移率的Cu2O单晶水热生长及通过掺杂杂质和缺陷控制调控材料半导体性能的研究，同时初步开展基于该晶体的高性能同质结或异质结太阳能电池的制备和机理研究，研究结果将推动氧化亚铜材料在新型太阳能电池方面应用，所得优质Cu2O单晶在稀磁半导体、凝聚态物理等基础研究方面也具重要意义。

中文关键词： 氧化亚铜；p 型无机半导体；晶体生长；异质结太阳能电池；

英文摘要： Cuprous oxide is a promising material for photovoltaic and photoelectrochemical energy conversion as well as many other applications. As a naturally p-type semiconductor with a direct band gap of 2.1 eV, cuprous oxide can absorb light in the visible regio

英文关键词： Cuprous oxide；p-type inorganic semiconductor；crystal-growth；heterojunction solar cells；