铝调制外延生长单晶镍硅锗化物及形成机理的研究

项目名称： 铝调制外延生长单晶镍硅锗化物及形成机理的研究

项目编号： No.61306127

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 张波

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 25万元

中文摘要： SiGe在晶体管中可做为源/漏填充材料来引起Si沟道的压应变，提高空穴的迁移率；此外，SiGe本身也是一种高迁移率材料，可用于晶体管的沟道。但是在高迁移率晶体管的SiGe源/漏接触区域，传统的镍硅锗化物（NiSiGe）热稳定性不好，与SiGe材料的界面平整度差，影响了晶体管的性能。本研究拟通过Al元素来调节Ni和SiGe的反应，分别利用Ni/Al双层结构或NiAl合金对NiSiGe材料的形成进行研究，详细讨论Al层厚度不同、Al含量不同对外延生长NiSiGe单晶材料的影响，深入研究Ge含量不同、应变不同的SiGe材料上实现外延NiSiGe单晶材料的方法，探讨Al元素对外延生长NiSiGe单晶材料的调制机理，阐述NiSiGe斜方结构在SiGe立方结构外延生长的机制，为外延生长的NiSiGe材料在纳米晶体管的源/漏区域得到应用奠定基础。

中文关键词： 铝；硅锗；镍；；

英文摘要： SiGe material has been implemented into advanced complementary metal oxide semiconductor (CMOS) devices at source/drain in order to induce uniaxial compressive strain in the Si channel, or, alternatively, as channel material due to its high hole mobility. Due to the NiSiGe low thermal stability and the rough NiSiGe/SiGe interface, one of the challenges for the SiGe devices poses the formation of germanosilicide with pristine electrical and structural properties. This project will employ Ni/Al dual layers or NiAl alloy to study the formation of NiSiGe materials by Al mediated epitaxy. We will investigate the effects of different Al interlayer thicknesses or Al contents on the epitaxial growth of NiSiGe. We will also study the mechanism of Al mediating epitaxial NiSiGe and the growth of orthorhombic NiSiGe structure on the cubic SiGe substrate. This project can provide the perfect epitaxial NiSiGe materials in the source/drain regions for the future MOSFETS.

英文关键词： Aluminium；SiGe alloy；Nickel；；