(Al,Ga,In)和N择优位向共掺对ZnO光电性能影响的研究

项目名称： (Al,Ga,In)和N择优位向共掺对ZnO光电性能影响的研究

项目编号： No.61366008

项目类型： 地区科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 侯清玉

作者单位： 内蒙古工业大学

项目金额： 44万元

中文摘要： 目前（Al,Ga,In）和N共掺对ZnO光电性能影响的研究比较普遍，但是（Al,Ga,In）和N在ZnO中均是随机共掺，目前还没有利用ZnO的单极性结构进行择优位向掺杂。本研究采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法，研究ZnO、（Al,Ga,In）和N择优位向共掺ZnO超胞模型，分别对模型进行结构优化、能带分布、态密度分布、集居数、差分电荷密度分布和光学性质的计算，在不同配比浓度择优位向掺杂的条件下，研究掺杂体系ZnO的稳定性，预期得出某一个配比浓度下，ZnO结构均较稳定的结果。在此基础上，研究掺杂体系ZnO的导电性能和光学性质。横向比较，预期得出稳定低阻的p型ZnO半导体功能材料和稳定性高、透射强的p型ZnO光学功能材料，为制备新型p型ZnO光电功能材料提供理论指导。将晶体场理论、化学键理论和能带论有机结合，合理解释禁带变化的规律，从而完善和发展施主-受主共掺理论。

中文关键词： ZnO；掺杂；点空位；物性；第一性原理

英文摘要： Nowadays, although the study of（Al,Ga,In）and N co-doped effect on the photoelectric function of ZnO is relatively common, but all of（Al,Ga,In）and N co-doped ZnO are random doping, the preferential locality doping using the unpolarity structure of ZnO has

英文关键词： ZnO；doping；vacancy；physical property；first-principle