面向三维集成的纳米尺度电荷陷阱存储器机理与可靠性研究

项目名称： 面向三维集成的纳米尺度电荷陷阱存储器机理与可靠性研究

项目编号： No.61176073

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 霍宗亮

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 62万元

中文摘要： 大容量高密度存储时代的来临以及传统浮栅闪存在变比过程中面临的巨大挑战使得三维存储技术成为目前存储技术前瞻性研究的热点和重点课题，而三维集成的核心之一电荷陷阱存储技术一直是三维集成的难点课题。本课题组在前期对纳米晶存储器、高K电荷陷阱存储器的研究中在存储材料、关键工艺技术等方面取得了一定的成果。在此基础上，本项目将致力于面向三维集成的电荷陷阱存储器的基础科学问题，对电荷陷阱存储器的输运机理、运作机理以及电荷陷阱存储器的可靠性问题进行深入探讨。主要研究内容包括：明晰制备工艺、器件结构、应力条件与存储器件退化之间的相互关系、获得高速、高可靠、多态数据存储的闪存器件，建立存储器运作的物理模型，建立器件的退化模型并对器件可靠性进行预测，力求为面向三维集成的存储单元设计和应用提供理论指导。本课题属于国际存储技术前沿研究的热点和难点问题，具有很强的前瞻性和实际意义，可以为我国存储技术的可持续发展提供借鉴

中文关键词： 高密度存储器；纳米存储材料；工艺优化；EFM；三维集成

英文摘要：

英文关键词： high density memory；nano storage materials；technology process optimization；EFM；three dimensional integration