高性能二极管驱动相变存储器模型及可微缩性研究

项目名称： 高性能二极管驱动相变存储器模型及可微缩性研究

项目编号： No.61401444

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 刘燕

作者单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

项目金额： 25万元

中文摘要： 相变存储器（Phase-change Random Access Memory，PCRAM）作为新型非易失性存储技术，具有高密度、低功耗、良好的工艺兼容性等优势，一直以来都是国际上存储技术研究的热点，1D1R（1个二极管和1个可逆电阻）是实现高密度存储器的最佳途径。本项目采用器件建模、流片实验和理论分析相结合的技术路线，以自主型高密度外延双沟道隔离二极管驱动器件为重点研究对象，结合40nm标准CMOS制程在TCAD平台上搭建二极管驱动阵列的物理模型，研究器件驱动能力、开关特性、串扰特性和寄生效应，并研究二极管阵列与外围CMOS电路工艺制程之间交互影响的物理物理机理。在此基础上研究4F2外延双沟道隔离二极管阵列的纳米尺寸效应和器件可微缩性，阐明下一代PCRAM的性能趋势，有望在高密度、低功耗、工艺简单和与CMOS工艺兼容性好等方面发挥优势。

中文关键词： 相变存储器；二极管阵列；模型；可微缩性；

英文摘要： Phase-change random access memory (PCRAM), as novel non-volatile memory providing high density, low power consumption and pretty good process compatibility, has attracted more attention in the international semiconductor industry. And 1D1R (including a di

英文关键词： phase-change memory；diode array；modeling；scalability；