元素掺杂GST相变存储薄膜的热传导性能与机理研究

项目名称： 元素掺杂GST相变存储薄膜的热传导性能与机理研究

项目编号： No.51401090

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 兰睿

作者单位： 江苏科技大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 相变存储器（PRAM）通过焦耳热使相变材料在非晶态和晶态间转变，从而实现数据存储。因而相变材料的热传导性是决定PRAM体积及能耗能否减小的关键因素。本项目基于元素掺杂能提高Ge2Sb2Te5（GST）相变薄膜的某些存储性能的研究背景，针对其热传导性能和机理仍不明了的现状，采用3w法对掺杂GST薄膜进行热传导测量。通过对非金属N和金属Sn两种元素掺杂GST薄膜热传导结果的对比，阐明不同性质的元素掺杂对于热传导性能的影响规律，同时揭示出掺杂量对热传导的影响；并结合电传导性能的测量，讨论不同元素掺杂的热传导机理，建立一个由电子、声子及其他可能存在的传导方式组成的热传导模型，为预测其他元素掺杂GST的热传导性能提供方法和指导。本研究可解决目前掺杂GST薄膜热传导机理不明的关键科学问题，不仅为今后GST材料结构和性质的研究提供关键参数，并能为PRAM应用中的材料选择和器件结构设计提供相关科学依据。

中文关键词： 相变存储器；热传导；掺杂GST；3w法；传导机理

英文摘要： In phase change random access memory (PRAM), the transformation of phase change materials between amorphous and crystalline states is controlled by Joule-heating to record data. The thermal conductivity of phase change materials plays a key role in furthe

英文关键词： Phase change random access memory；Thermal conductivity；doped GST；3w method；Conduction mechanism