掺杂提高二元金属氧化物电致电阻转变性能的作用机理研究

项目名称： 掺杂提高二元金属氧化物电致电阻转变性能的作用机理研究

项目编号： No.50972160

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 龙世兵

作者单位： 中国科学院微电子研究所

项目金额： 32万元

中文摘要： 阻变存储器具有在32nm节点及以下取代现有主流闪存的潜力。本项目组在国际上较早提出在阻变薄膜内掺入杂质可提高阻变存储器的性能，基于这一创新思想，本项目将进一步研究掺杂提高二元金属氧化物阻变性能的机理和分类。主要研究内容包括：兼容CMOS工艺的二元金属氧化物材料的制备和优化以及掺杂实现方法；掺杂元素、掺杂方式、掺杂位置、掺杂浓度及退火等后处理工艺对阻变特性（编程/擦除（P/E）电压、P/E速度、工作电流、数据保持能力、耐受性、均匀性）的影响；借助先进的材料物性表征分析方法，结合阻变功能层的体效应和界面效应等物理效应的研究，探索与各种因素相应的电阻转变机理，从而明确掺杂的分类，并研究清楚掺杂提高二元金属氧化物阻变性能的机理，为优化RRAM的设计提供理论指导。本项目具有很强的创新性和重要的实际意义，可在材料和存储器领域获得具有自主知识产权的核心技术，为我国存储器产业的可持续发展提供借鉴。

中文关键词： 阻变存储器；二元金属氧化物；掺杂；电阻转变；物性表征

英文摘要：

英文关键词： resistive switching memory (RR；binary metal oxide；doping；resistive switching (RS)；physical properties characteri