缺陷对氧化锌激子发光效率的影响机制

项目名称： 缺陷对氧化锌激子发光效率的影响机制

项目编号： No.51372223

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 何海平

作者单位： 浙江大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 宽带隙半导体ZnO具有激子束缚能高等优点，可望获得高效激子发光和低阈值激射，在薄膜和纳米发光器件方面均有广阔的应用前景。但由于缺陷发光和非辐射复合中心的影响，实际ZnO材料激子的室温发光内量子效率不高，其影响机理还有待深入研究。本项目拟以分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)等方法生长的高质量ZnO薄膜和纳米结构为研究对象，针对ZnO中非辐射复合中心指认以及3.31eV(A线)发光起源这两个关键科学问题，通过对锌空位等点缺陷以及层错等扩展缺陷的识别和控制，深入研究缺陷对ZnO室温激子发光效率的影响规律，指认缺陷非辐射复合中心，阐明层错缺陷对A线发光的影响机制，揭示激子在缺陷处的复合动力学过程。在此基础上，优化生长工艺，制备低缺陷密度ZnO薄膜和纳米结构，提高室温激子发光的内量子效率。本项目研究将丰富ZnO发光的知识体系，具有重要的科学意义和潜在应用价值。

中文关键词： 氧化锌；激子；缺陷；发光；

英文摘要： Due to its excellent properties such as very high exciton binding energy which allows highly efficient excitonic luminescence and low-threshold lasing, ZnO, a wide bandgap semiconductor, is regarded as a promising material for thin-film and nanoscale ligh

英文关键词： Zinc oxide；Exciton；Defect；Photoluminescence；