金属表面化学气相沉积法生长石墨烯的机理研究

项目名称： 金属表面化学气相沉积法生长石墨烯的机理研究

项目编号： No.21173202

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理化学

项目作者： 李震宇

作者单位： 中国科学技术大学

项目金额： 58万元

中文摘要： 近两年来，化学气相沉积法已经发展成为制备石墨烯的一种重要手段。基于大量的实验摸索，目前已发现碳源、金属基底、压强、温度等条件都可以对石墨烯的生长过程以及最后所获得的样品质量产生显著的影响。要发现其中的规律从而控制反应条件制备高质量的样品就需要理解其中的生长机理。然而，目前我们对石墨烯气相沉积生长的微观机理仍然知之甚少。本项目主要利用电子密度泛函理论、分子动力学模拟、热力学分析以及粗粒化模型等方法，研究与石墨烯生长相关的表面基元反应，模拟不同实验条件下的生长过程，最终揭示石墨烯化学气相沉积法生长的微观机理，为探索最佳生长条件提供理论依据和指导。

中文关键词： 化学气相沉积；生长机理；石墨烯；理论模拟；

英文摘要：

英文关键词： Chemical Vapor Deposition；Growth Mechanism；Graphene；Theoretical Modeling；