短波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料及界面互混研究

项目名称： 短波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料及界面互混研究

项目编号： No.61404124

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 黄建亮

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 26万元

中文摘要： 由于II型能带结构，InAs/GaSb超晶格具有低俄歇复合率、较长载流子寿命、低隧穿电流和良好均匀性等优势，故为第三代红外探测器的最理想材料之一。但对短波长（2-3 μm）而言，其周期厚度薄，InAs/GaSb材料生长中没有共同的V和III族元素造成界面互混影响较大等因素，最终导致短波段实现比较困难。本项目将采用理论模拟、分子束外延技术和光学测试等三个技术方面相结合，进行短波段InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料及界面互混的研究，探索界面互混对短波InAs/GaSb二类超晶格材料质量的影响；重点解决界面互混影响和界面互混控制等难题，并采用优化生长温度，优化InAs/GaSb周期结构设计和插入势垒（如AlGaSb）层应对界面互混带来的影响，为InAs/GaSb超晶格实现短波探测和波长控制提供思路。最终研制出短波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器原型器件。

中文关键词： InAs/GaSb二类超晶格；光电探测器；短波红外波段；双色探测；界面设计

英文摘要： Due to the type II broken band structure, InAs/GaSb superlattice shows many advantages such as low Auger recombination rate, long carriers lifetime, low tunneling dark current, good material uniformity and so on. Thus, it has been regarded as one of the b

英文关键词： Type II InAs/GaSb superlattice；photodetector；short wavelength infrared；two-color detection；interface design